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P沟道MOS管参数大全-P沟道MOS管基本知识介绍及导通条件-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-08-29 

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p沟道MOS管参数
P沟道MOS管

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,P沟道MOS管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因P沟道MOS管电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用P沟道MOS管电路技术。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。P沟道MOS管集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式,一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。

P沟道MOS管导通条件

P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,mos管导通,不能够关断。GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为5V,G为4V,那么GS=-1V,mos管导通,D为5V。

p沟道mos管参数

深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

本文主要是讲述P沟道MOS管的参数、型号。

Part Numbe

IDA

BVDSSV

RDSON)(Ω)

Package

KIA2301

-2.8

-20

0.12

SOT-23

KIA2305

-3.5

-20

0.055

SOT-23

KIA3401

-4

-30

0.06

SOT-23

KIA3407

-4.1

-30

0.06

SOT-23

KIA3409

-2.6

-30

0.06

SOT-23

KIA3415

-4

-16

0.045

SOT-23

KIA3423

-2

-20

0.092

SOT-23

KIA4953

-5.3

-30

0.063

SOP-8

KIA9435

-5.3

-30

0.06

SOP-8

KIA7P03A

-7.5

-30

0.018

SOP-8

KIA4435

-10.5

-30

0.018

SOP-8


Part Numbe

IDA

VDSSv

RDS(Ω)MAX

RDS(Ω)TYP

ciss

pF

KIA23P10A

-23

-100

0.95

0..078

3029

KIA35P10A

-35

-100

0.055

0.042

4920

KPD8610A

-35

-100

0.055

0.042

6516




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