金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,P沟道MOS管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因P沟道MOS管电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用P沟道MOS管电路技术。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。P沟道MOS管集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式,一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,mos管导通,不能够关断。GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为5V,G为4V,那么GS=-1V,mos管导通,D为5V。
深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
本文主要是讲述P沟道MOS管的参数、型号。
Part Numbe
ID(A)
BVDSS(V)
RDS(ON)(Ω)
Package
KIA2301
-2.8
-20
0.12
SOT-23
KIA2305
-3.5
-20
0.055
SOT-23
KIA3401
-4
-30
0.06
SOT-23
KIA3407
-4.1
-30
0.06
SOT-23
KIA3409
-2.6
-30
0.06
SOT-23
KIA3415
-4
-16
0.045
SOT-23
KIA3423
-2
-20
0.092
SOT-23
KIA4953
-5.3
-30
0.063
SOP-8
KIA9435
-5.3
-30
0.06
SOP-8
KIA7P03A
-7.5
-30
0.018
SOP-8
KIA4435
-10.5
-30
0.018
SOP-8
Part Numbe |
ID(A) |
VDSS(v) |
RDS(Ω)(MAX) |
RDS(Ω)(TYP) |
ciss |
pF |
|||||
KIA23P10A |
-23 |
-100 |
0.95 |
0..078 |
3029 |
KIA35P10A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
4920 |
KPD8610A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
6516 |
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助