MOSFET驱动方式：
驱动方式是对简易方式的一种初步改进,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保证较高的开通速度。驱动方式可进一步改善驱动性能,不但关断时间可以进一步缩短,开通时间与关断时间的差别也通过互补电路而消除。同时,在这种驱动方式中的两个外接晶体管起着射极跟随器的作用,因而功率MOSFET永远不会被驱动到饱和区。由于互补方式增加了驱动功率,这种方式更适合于大功率MOSFET的驱动。
而这种方式可以产生足够高的栅压使器件充分导通,并保证较高的关断速度。由于外接负载电阻RL须有一定大小,以限制TTL的低电平输出晶体管的功率耗散,因而这种驱动方式的开通速度不够高。不过,对感性负载的开关电路来说,出于对动态损耗的考虑,关断速度的重要性就是要强一些。
MOSFET注意要点：
驱动电路的有关问题MOSFET管工作在高频时,为了防止振荡,有两点必须注意:第一,尽可能减少MOSFET各端点的连接线长度,特别是栅极引线,如果无法使引线缩短,则可按图1所示,靠近栅极处串联一个小电阻以便控制寄生振荡;第二,由于MOSFET的输入阻抗高,驱动电源的阻抗必须比较低,以避免正反馈所引起的振荡,特别是MOSFET的直流输入阻抗非常高,但它的交流输入阻抗是随频率而改变的,因此MOSFET的驱动波形的上升和下降时间与驱动脉冲发生器阻抗有关。另外,MOSFET的栅—源极间的硅氧化层的耐压。
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