场效应管：场效应管由多数载流子参与导电,称为单极型晶体管.它也属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高（108~109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.它有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应管可应用于放大。由于放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器，很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，可以常用于多级放大器的输入级作阻抗变换，允许方便地用作恒流源、允许用作可变电阻、允许用作电子开关。
结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
场效应管任务原理用一句话说，就是"漏极-源极间走过沟道的ID,用以电极与沟道间的pn构造成的反偏偏的电极电压掌握ID".更准确地说，ID走过电路的幅度，即沟道截面积，它是由pn结反偏偏的变迁，发生耗尽层扩大变迁掌握的来由。正在VGS=0的非饱满海域，示意的过渡层的扩大由于没有很大，依据漏极-源极间所加VDS的磁场，源极海域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有直流电ID活动。从门极向漏极扩大的适度层将沟道的一全体形成阻塞型，ID饱满。将这种形态称为夹断。这象征着过渡层将沟道的一全体阻挠，并没有是直流电被切断。
正在过渡层因为没有电子、空穴的自正在挪动，正在现实形态下简直存正在绝缘特点，一般直流电也难活动。然而这时漏极-源极间的磁场，实践上是两个过渡层接触漏极与门极下部左近，因为漂移磁场拉去的高速电子经过过渡层。因漂移磁场的强度简直没有变发生ID的饱满景象。其次，VGS向负的位置变迁，让VGS=VGS（off），这时过渡层大体变化遮盖全海域的形态。并且VDS的磁场大全体加到过渡层上，将电子拉向漂移位置的磁场，只要接近源极的很短全体，这更使直流电没有能呆滞。
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