MOS管7N65产品特征-KIA7N65H
1、RDS(on)=1.2?@VGS=10V
2、低栅电荷（典型的29nC）
3、高强度
4、快速切换
5、100%雪崩试验
6、增强的dv/dt能力
MOS管7N65产品主要参数-KIA7N65H
产品型号：KIA7N65H
工作方式：7A/650V
漏至源电压：650V
门到源电压：±30V
雪崩能源：14.7/230MJ
操作和储存温度范围:-55至150℃
MOS管7N65标准封装-KIA7N65H
MOS管7N65电路图-KIA7N65H
MOS管7N65产品附件-KIA7N65H
以下为KIA7N65H产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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