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10n60 9.5A/600V场效应管参数PDF中文资料-半导体原厂-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-10-11 

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10n60场效应管参数
场效应管10n60产品特征-KIA10N60H

可易亚设计了KIA10N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET适用于高电压、高速度的功率开关应用,如高效率的开关电源。电源,有源功率因数校正,电子镇流器基于半桥式,以消光

1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V

2、低门电荷(典型的44nC)

3、快速交换能力

4、雪崩能量指定值

5、改进的dv/dt能力

10n60场效应管参数-KIA10N60H

产品型号:KIA10N60H

工作方式:9.5A/600V

漏源极电压:600V

栅源电压:±30V

漏电流脉冲:38.0*A

结温:+150℃

贮存温度:-55℃至150℃

KIA10N60H标准封装

10n60场效应管参数 9.5A/600V

KIA10N60H电路图

10n60场效应管参数 9.5A/600V

10n60场效应管参数 9.5A/600V

KIA10N60H产品附件

以下为KIA10N60H产品PDF格式的产品详细资料,查看详情请点击下图。

10n60场效应管参数 9.5A/600V



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