MOS管100N03A产品特征-KIA100N03A
1、此功率MOSFET是使用KIA的先进平面条纹DMOS技术生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻，提供了优越的开关性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。这些适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。
2、RDS(on)=3.1m?@VGS=10V
3、增强的dv/dt能力
4、快速切换
5、绿色设备可用
MOS管100N03A产品主要参数-KIA100N03A
产品型号：KIA100N03A
工作方式：90A/30V
漏源极电压：30V
栅源电压：±20A
连续漏电流：90A/57A
接头和储存温度范围:-55S℃至175℃
KIA100N03A标准封装
KIA100N03A电路图
KIA100N03A产品附件
以下为KIA100N03A产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
