MOS管100N03产品特征-KIA100N03A
1、此功率MOSFET是使用KIA的先进平面条纹DMOS技术生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻，提供了优越的开关性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。这些适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。
2、RDS(on)=3.1m?@VGS=10V
3、增强的dv/dt能力
4、快速切换
5、绿色设备可用
MOS管100N03产品主要参数-KIA100N03A
产品型号：KIA100N03A
工作方式：90A/30V
漏源极电压:30V
栅源电压:±20V
连续漏电流:90A/57A
脉冲漏电流:360A
雪崩电流:50A
雪崩能量:125MJ
操作和储存温度范围：-55℃至+175℃
KIA100N03A标准封装
KIA100N03A电路图
KIA100N03A产品附件
以下为KIA100N03A产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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