MOS管KIA3510A主要参数
型号：KIA3510A
电流：75A
电压：100V
漏源极电压:100V
栅源电压：±25V
最高结温：175℃
贮存温度范围：-55℃至+175℃
脉冲漏电流：219A
雪崩电流:30A
雪崩能源:225MJ
MOS管KIA3510A替代IRF540N
电流：27A
电压：100V
封装：TO-220
MOS管KIA3510A封装及引脚图
MOS管KIA3510A产品的主要特征
KIA半导体专注品质追求10几年，一直力争在质量上做到精益求精。
RDS(on)=9m? (Typ)@VGS =10V
100%雪崩试验
可靠和坚固
无铅绿色设备（符合RoHS标准）
MOS管KIA3510A产品附件
以下为KIA3510A产品PDF格式的详细资料，查看详情请点击下图。如有需要请联系我们，KIA半导体将会竭诚为您服务！
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