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MOS管KIA3510A替代IRF540N-KIA3510A中文资料 原厂免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-11-13 

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MOS管KIA3510A主要参数

型号:KIA3510A

电流:75A

电压:100V

漏源极电压:100V

栅源电压:±25V

最高结温:175℃

贮存温度范围:-55℃至+175℃

脉冲漏电流:219A

雪崩电流:30A

雪崩能源:225MJ

MOS管KIA3510A替代IRF540N

电流:27A

电压:100V

封装:TO-220

MOS管KIA3510A封装及引脚图

联系方式:邹先生 联系电话:0755-83888366-8022 手机:18123972950 QQ:2880195519 联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1 请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号 请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助

MOS管KIA3510A产品的主要特征

KIA半导体专注品质追求10几年,一直力争在质量上做到精益求精。

RDS(on)=9m? (Typ)@VGS =10V

100%雪崩试验

可靠和坚固

无铅绿色设备(符合RoHS标准)

MOS管KIA3510A产品附件

以下为KIA3510A产品PDF格式的详细资料,查看详情请点击下图。如有需要请联系我们,KIA半导体将会竭诚为您服务!



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手机:18123972950

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