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FDP51N25供应商-FDP51N25参数中文资料 货源稳定 -KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-11-28 

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FDP51N25产品特点

1、51A,250V,RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V

2、低栅极电荷(典型的55nC)

3、低Crss(典型的63PF)

4、快速切换

5、100%雪崩试验

6、提高dv/dt能力


FDP51N25参数

漏源极电压:250V

门源电压:±30V

单脉冲雪崩能:1111MJ

雪崩电流:51A

重复雪崩能量:32MJ


FDP51N25 PDF中文资料

FDP51N25

KIA半导体厂家

KIA半导体专业做场效应管10几年,一直是品质追求,我们产品都是经过10几道工艺才制成成品。


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