逆变器13N50产品描述
KIA13N50 N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。
KIA13N50参数
产品编号：KIA13N50
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （连续）（lD）：13A
耗散功率（PD）：195W
工作温度：±150℃
击穿电压温度：0.5/℃
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升时间：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω
KIA13N50特征
RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v
低栅极电荷（典型的45nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
KIA13N50产品适用范围
主要适用于高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。
KIA13N50封装图
KIA13N50规格书
以下为KIA13N50产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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