KNX3306B替代HY1607
KNX3306B可替代后羿的HY1607，KIA半导体场效应管有着雪崩冲击低、低内阻等技术优势。
KIA半导体也一直执行全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品，在相关环节的质量状态和信息都是有效控制，确保提供给客户的产品是安全可靠的。下文将描述KNX3306B产品附件及主要参数详情。
MOS管KNX3306B产品特征
1、RDS(on)=7毫欧(typ)@VGS=10V
2、无铅绿色设备
3、低电阻开关，减少导电损耗
4、高雪崩电流
MOS管KNX3306B产品主要参数
产品型号：KNX3306A
工作方式：80A/60V
漏源极电压:60V
栅源电压；±25V
雪崩能量：462.25MJ
接头和储存温度范围 ：-55℃至+175℃
MOS管KNX3306B封装
KNX3306B附件
查看详情，请点击下图。
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