充电器MOS管,KNX4660A,7A/600V
充电器MOS管 KNX4660A产品概述
KNX4660A沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高压而设计的。高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源，开关电源等。功率因数校正，基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
充电器MOS管 KNX4660A特征
1、符合ROHS规范
2、R DS(ON),typ=1.0Ω@VGS=10V
3、低栅电荷最小化开关损耗
4、快速恢复体二极管
充电器MOS管 KNX4660A产品应用领域
适配器
充电器
备用电源
充电器MOS管 KNX4660A封装外观图
充电器MOS管 KNX4660A 7A/600V主要参数
型号：KNX4660A
工作方式：7A/600V
漏源极电压：600V
栅极到源极电压：±30V
脉宽为10伏的脉冲漏电流：28A
单脉冲雪崩能量：550MJ
功耗：42W/128W
运行和贮存温度范围：-55℃至150℃
充电器MOS管 KNX4660A 7A/600V附件
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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