KIA3308A代替HY3008B,国产MOS管
国产MOS管KIA3308A代替HY3008B
下文将会详细的介绍国产MOS管KIA3308A和HY3008B两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
已经拥有了独立的研发中心，研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队，可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案，同时引进多台国外先进设备，业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。
强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
国产MOS管KIA3308A产品特征
RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V
提供无铅环保设备
降低导电损耗的低RD值
高雪崩电流
国产MOS管KIA3308A应用领域
电力供应
直流变换器
国产MOS管KIA3308A封装
国产MOS管KIA3308A主要参数
型号：KIA3308A
电流：80A
电压：80V
漏源极电压:80V
栅源电压:±25
脉冲漏电流：340A
雪崩电流:20A
雪崩能源:410MJ
KIA3308A产品规格书
查看规格书，请点击下图。
KIA3308A代替HY3008B-HY3008B产品主要参数
电流：100A
电压：80V
漏源极电压:80V
栅源电压:±25
二极管连续正向电流:100A
漏极击穿电压：80V
栅极电阻：1.0?
HY3008B封装图
HY3008B产品规格书
查看规格书，请点击下图。
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联系电话：0755-83888366-8022
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