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国产MOS管KIA3308A代替HY3008B产品规格书-国产原厂制造-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-03-11 

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KIA3308A代替HY3008B,国产MOS管

国产MOS管KIA3308A代替HY3008B

下文将会详细的介绍国产MOS管KIA3308A和HY3008B两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


已经拥有了独立的研发中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。

强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。

KIA3308A代替HY3008B,国产MOS管

从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!


国产MOS管KIA3308A产品特征

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

提供无铅环保设备

降低导电损耗的低RD值

高雪崩电流


国产MOS管KIA3308A应用领域

电力供应

直流变换器


国产MOS管KIA3308A封装

KIA3308A代替HY3008B,国产MOS管


国产MOS管KIA3308A主要参数

型号:KIA3308A

电流:80A

电压:80V

漏源极电压:80V

栅源电压:±25

脉冲漏电流:340A

雪崩电流:20A

雪崩能源:410MJ


KIA3308A产品规格书

查看规格书,请点击下图。

KIA3308A代替HY3008B,国产MOS管


KIA3308A代替HY3008B-HY3008B产品主要参数

电流:100A

电压:80V

漏源极电压:80V

栅源电压:±25

二极管连续正向电流:100A

漏极击穿电压:80V

栅极电阻:1.0?


HY3008B封装图

KIA3308A代替HY3008B,国产MOS管


HY3008B产品规格书

查看规格书,请点击下图。

KIA3308A代替HY3008B,国产MOS管



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联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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