MOS管,KNX2710A,160A/100V
MOS管 KNX2710A产品特点
专有新沟槽技术
RDS(ON),typ.=4.5mΩ@VGS=10V
低栅极电荷使开关损耗最小化
快恢复体二极管
MOS管 KNX2710A 160A/100V应用领域
高效率DC/DC变换器
同步整流
UPS逆变器
MOS管 KNX2710A 160A/100V参数
漏源电压：100V
栅极到源极电压:±20V
连续漏电流:160A/80A/120A
脉冲漏电流在VGS=10V：640A
单脉冲雪崩能量:1200MJ
峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns
功耗:333W
漏源击穿电压:100V
输入电容:8000pF
反向转移电容:950pF
输出电容:760pF
MOS管 KNX2710A封装图
MOS管 KNX2710A 160A/100V附件图
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