mos管导通和截止
mos管导通条件
mos管导通和截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。
开关只有两种状态通和断，三极管和场效应管工作有三种状态：
1、截止；
2、线性放大；
3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）；
使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时表示0，输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。 场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
MOS管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
mos管导通和截止过程
导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
1）t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
2）[t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID, Cgs2 迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。
3）[t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
4）[t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
关于mos管导通和截止详解分析
NMOS（如IRF540N）：原理图封装引脚由下到上依次为S、G、D，PCB封装引脚从左到右依次为GDS，做开关时由D串联到负极，Vgs为正电压导通（具体参照Vgs关系图标），一般4V为临界点，Vgs越大导通越彻底；?
PMOS（如IRF9Z34）：PCB封装也为GDS，做开关时从S串联接到正极，Vgs为负电压导通，一般以-4V为临界点，即Vgs<=-4V时导通，Vgs绝对值越大导通越彻底，Vgs大于-4V则截止。下图为540Vgs关系：
下图为9z34Vgs关系：
各种情况中的mos管导通和截止判断
在各种情况中的mos管导通和截止判断，非门电路无法用二极管构成，得用晶体三MAX4180EUT+T极管来构成，这一点与前面介绍的或门电路和与门电路不同。
关于非门电路主要说明下列几点。
(1)非门电路只有一个输入端，这一点同前面介绍的两种门电路不同，输出端为一个。
(2)当数字系统中需要进行非逻辑运算时，可以用非门电路来实现。
(3)关于非逻辑要记住：1的非逻辑是0，0的非逻辑是1。逻辑中只有1和0两种状态，记住非逻辑就是相反的结论，可方便进行非逻辑运算和分析
(4)由于构成非门电路的半导体器件不同，有多种非门电路。其中，MOS非门电路有3类：一是NMOS型，二是PMOS型，三是COMS型，它们的区别主要是所用MOS管不同和电路结构不同，其中COMS非门电路应用最为广泛，性能最好。
(5)在分析MOS管导通与截止时，有一个简便方法，要看3个方面：一是看是增强型还是耗尽型，二看MOS管箭头方向（也就是看是什么沟道），三是看栅极是高电平1还是低电平Oo为方便电路分析，将各种情况用图8-14来表示，进行电路分析时可根据此图来作出MOS管导通和截止的判断。
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