MOS管,KIA6035A,11A/350V
KIA半导体MOS管 KIA6035A产品概述
这种功率MOSFET是KIA半导体使用先进的平面条纹DMOS技术生产。这种先进的技术是KIA半导体特别定制的，可以减少冲击，并有着开关性能好的优势，能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。MOS管 KIA6035A非常适合于高效率开关电源、有源功率因数校正。
MOS管 KIA6035A产品特征
RDS(ON)=0.38Ω@VGS=10V.
低栅电荷
高耐用性
快速切换能力
提高了dv/dt能力
MOS管 KIA6035A 11A/350V主要参数
型号：KIA6035A
工作方式：11A/350V
漏源电压：350V
栅源电压:±20V
脉冲漏电流:36A
峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns
输入电容:844pF
输出电容：162pF
反向转移电容：4pF
漏源二极管正向电压：1.4V
连续漏源电流:11A
MOS管 KIA6035A封装图
MOS管 KIA6035A 11A/350V规格书
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MOS管 KIA6035A电路特征
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