MOS管,KIA24N50H,24A/500V
KIA半导体MOS管 KIA24N50H产品概述
这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进技术是特别定制，以最小化通态电阻，并提供优越的开关。其性能好，能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这种功率MOSFET非常适合于高效率开关电源。
MOS管 KIA24N50H产品特点
RDS(ON)=0.16Ω@VGS=10V
低栅电荷
高耐用性
快速切换
雪崩测试100%
提高了dv/dt能力
MOS管 KIA24N50H 24A/500V主要参数
型号：KIA24N50H
工作方式：24A/500V
漏源电压：500V
栅源电压:±30V
脉冲漏电流:96A
峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns
输入电容：3500pF
输出电容：520pF
反向转移电容:55pF
漏源二极管正向电压:1.5V
MOS管 KIA24N50H封装
MOS管 KIA24N50H 24A/500V规格书
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