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MOS管 KIA18N50H中文资料 18A/500V-MOS管封装 价格 厂家-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-04-15 

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MOS管,KIA18N50H,18A/500V

MOS管KIA18N50H概述

KIA18N50H 是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计的。电压、高速功率开关应用,如高效开关电源,功率因数校正。


MOS管KIA18N50H产品特征

RDS(on)=0.25?@VGS=10V

低栅电荷

快速切换能力

提高了dv/dt能力


MOS管 KIA18N50H 18A/500V封装

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MOS管 KIA18N50H 18A/500V参数

工作方式:18A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±30V

脉冲漏电流:72A

峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns

输入电容:2500pF

输出电容:400pF

连续漏源电流:18A


MOS管 KIA18N50H规格书

查看及下载规格书,请点击下图。

MOS管,KIA18N50H,18A/500V



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