MOS管KIA50N06替代NCE6050
MOS管KIA50N06替代NCE6050参数
KIA50N06产品描述
MOS管KIA50N06替代NCE6050，文中将会具体的描述KIA50N06和NCE6050两个产品参数、封装、附加规格书等。KIA50n06是三端器件与约50A电流传导能力，快速开关速度。低通态电阻，60V额定击穿电压，最大阈值4伏电压。它主要适用于电子镇流器和低功率开关。
KIA50N06产品特征
RDS(ON)=18mΩ@VGS=10v。
超低栅极电荷（典型的30nc）
低反向转移电容
快速切换的能力
100%雪崩能量
改进的dt／dt能力
KIA50N06产品参数
漏极至源极电压：60
栅源电压：±20
漏极电流 （连续）：50
单脉冲雪崩能量：480
耗散功率：130
工作温度：-55~+150
输入电容：VDS =25V,VGS=0V,f=1MHz
击穿电压温度：0.7
上升时间：VDD=30V，ID=25A，RG=50Ω(note4,5)
KIA50N06封装图
MOS管KIA50N06规格书详情
查看规格书请点击下图。
NCE6050主要参数
漏源电压：60V
栅源电压:±20V
漏电流连续:50A
脉冲漏电流:220A
最大功耗:80W
输入电容：900PF
输出电容：104PF
封装：TO-252、TO-251、TO-220
NCE6050规格书
查看规格书请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
