MOS管,KNH8150A,30A/500V
KIA半导体对产品一直执行全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品，在相关环节的质量状态和信息都是有效受控，确保提供给客户的产品是安全可靠的。
MOS管 KNH8150A产品特征
先进的平面加工技术
RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V
低栅极电荷使开关损耗最小化
坚固的多晶硅栅极工艺
MOS管 KNH8150A应用领域
1、无刷直流电机驱动器
2、电焊机
3、高效开关电源
MOS管 KNH8150A封装
MOS管 KNH8150A 30A/500V主要参数
型号：KNH8150A
工作方式：30A/500V
漏源电压：500V
门-源电压:±30V
连续漏电流:30A
单脉冲雪崩能量:2000MJ
峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns
功耗:333W
漏源击穿电压:500V
输入电容：4150pF
输出电容：500pF
连续源电流：30A
脉冲源电流:120A
MOS管 KNH8150A 30A/500V规格书
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