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KIA半导体MOS管 KNX4760A 8A/600V原厂价格采购 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-04-17 

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MOS管,KNX4760A,8A/600V

MOS管 KNX4760A产品特征

专业平面新技术

RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V

低栅极电荷使开关损耗最小化

快恢复体二极管


MOS管 KNX4760A产品应用领域

适配器充电器

SMPS电源

液晶面板电源


MOS管 KNX4760A封装


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MOS管 KNX4760A 8A/600V主要参数

漏源电压:600V

栅源电压:±30V

连续漏电流:8.0A

单脉冲雪崩能量:580MJ

峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns

漏源击穿电压:600V

输入电容:1250pF

输出电容:110pF

反向转移电容:16pF

漏源二极管正向电压:1.5V

连续漏源电流:8A


MOS管 KNX4760A 8A/600V规格书

查看及下载规格书,请点击下图。


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联系方式:邹先生

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联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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