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MOS管参数大全

信息来源:本站 日期:2017-04-27 

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Mosfet参数意义阐明 Features:


Vds:    DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压
Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻



Id:     最大DS电流.会随温度的增加而下降
Vgs:     最大GS电压.通常为:-20V~+20V


Pd:      最大耗散功率

Tj:      最大作业结温,通常为150度和175度

Tstg:    最大存储温度

Idm:     最大脉冲DS电流.会随温度的增加而下降,表现一个抗冲击才华,跟脉冲时刻也有联络

Iar:     雪崩电流

Ear:     重复雪崩击穿能量

BVdss:  DS击穿电压  Idss:    丰满DS电流,uA级的电流 Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量  Igss:    GS驱动电流,nA级的电流.

Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量

gfs:     跨导  Qg:      G总充电电量

Qgs:     GS充电电量

Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量

Qgd:     GD充电电量

Td(on):  导通推迟时刻,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时刻


Tr:      上升时刻,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时刻
Td(off): 关断推迟时刻,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时刻


Ciss:    输入电容,Ciss=Cgd + Cgs.

Tf:      下降时刻,输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻

Coss:    输出电容,Coss=Cds +Cgd.  Crss:    反向传输电容,Crss=Cgc.

联系方式:邹先生

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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