MOS管,6N70,KIA6N70H,5.8A/700V
KIA半导体MOS管 6N70产品概述
这种功率MOSFET是KIA半导体使用先进的平面条纹DMOS技术生产的，这个先进的技术是KIA特别定制，以减少对状态的抵抗，提供优越的开关性能好，能承受雪崩和切换模式下的高能量脉冲。该装置非常适合于高效率开关电源、有源功率因数校正，基于半桥拓扑。
MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V产品特征
RDS(on)typ =1.8Ω@VGS=10V
低栅电荷
高耐用性
快速切换
雪崩测试100%
提高了dv/dt能力
MOS管 6N70产品封装图
MOS管 6N70 5.8A/700V主要参数
型号：KIA6N70H
工作方式：5.8A/700V
漏源电压：700V
栅源电压:±30V
单脉冲雪崩能量:150MJ
雪崩电流:4.8A
重复雪崩能量:9.5MJ
峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns
漏源击穿电压:700V
输入电容：650pF
输出电容：95pF
反向转移电容：10pF
MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V规格书
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