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如何估算MOS管电压驱动

信息来源:本站 日期:2017-04-28 

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Crss:反Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压;

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;

效应时刻(开关时刻)Ton/off=Qgd/Ig;

第1种:(第1种的变形)

Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在datasheet中找到)

Tr:上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻

td(on):MOS导通延迟时刻,从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时刻。

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

其间:

Ig=Qg/Ton

能够运用如下公式估算:

第2种:

假设两种Vod都大于零,阐明晶体管沟道全开,也即是处于线性区。只要一种Vod大于零,阐明晶体管沟道半开(在DS恣意一端没打开有夹断),也即是处于饱满区。

Vod2=Vds-Vth;

Vod1=Vgs-Vth;

3)假设能够愈加深化了解的话,能够领会到过驱动电压不单单合用于指代Vgs,也合用于指代Vgd。即

2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也即是说,能够运用过驱动电压来核算饱满区的电流。

1)只要在你的过驱动电压“大于零”的情况下,沟道才会构成,MOS管才会作业。也即是说,能够运用过驱动电压来断定晶体管是不是导通。

MOS驱动电压Vod=Vgs-Vth。能够了解为:超过驱动门限(Vth)的剩余电压巨细。

联系方式:邹先生

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QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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