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MOS管原厂KIA品牌 KIA50N06B可替代FQP50N06规格书-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-04-29 

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KIA MOS管品牌介绍

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06,了解一下KIA半导体公司,深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


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现已经拥有了独立的研发中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案,强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


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KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源,也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。


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从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!


MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06,下文有KIA50N06B和FQP50N06两个MOS管型号的封装、参数及规格书资料详情。


MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-KIA50N06B资料详解

(一)MOS管KIA50N06B产品特征

1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V

2、无铅绿色装置

3、降低导电损耗

4、高雪崩电流


(二)KIA50N06B主要参数

产品型号:KIA50N06B

工作方式:50A/60V

漏源极电压:60V

栅源电压:±25

脉冲漏电流:250A

雪崩电流:15A

雪崩能量:120MJ

漏源击穿电压:60V

栅电阻:1.0Ω

输入电容:2060pF

输出电容:755pF

反向转移电容:375pF


(三)KIA50N06B封装图


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(四)MOS管KIA50N06B规格书

查看及下载规格书,请点击下图。

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MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-FQP50N06资料详解


(一)FQP50N06参数


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(二)FQP50N06封装图


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(三)FQP50N06规格书

查看及下载规格书,请点击下图。


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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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