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KIA MOS管品牌介绍
MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，了解一下KIA半导体公司，深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
现已经拥有了独立的研发中心，研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队，可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案，强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新，力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06
MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，下文有KIA50N06B和FQP50N06两个MOS管型号的封装、参数及规格书资料详情。
MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-KIA50N06B资料详解
（一）MOS管KIA50N06B产品特征
1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V
2、无铅绿色装置
3、降低导电损耗
4、高雪崩电流
（二）KIA50N06B主要参数
产品型号：KIA50N06B
工作方式：50A/60V
漏源极电压：60V
栅源电压：±25
脉冲漏电流：250A
雪崩电流：15A
雪崩能量：120MJ
漏源击穿电压：60V
栅电阻:1.0Ω
输入电容：2060pF
输出电容：755pF
反向转移电容：375pF
（三）KIA50N06B封装图
（四）MOS管KIA50N06B规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-FQP50N06资料详解
（一）FQP50N06参数
（二）FQP50N06封装图
（三）FQP50N06规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
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