1906B,KNX1906B,230A/60V
MOS管KNX1906B产品概述
深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
MOS管KNX1906B产品特征
RDS(on)=2.7mΩ（typ.）@VGS=10V
提供无铅和绿色设备
高雪崩电流
MOS管KNX1906B产品应用领域
电源
UPS
电池管理系统
MOS管KNX1906B 230A/60V主要参数
型号：KNX1906B
工作方式：230A/60V
漏源电压：60V
栅源电压：±25V
最高结温：175oC
脉冲漏极电流：880A
雪崩电流:40A
雪崩能量:800mJ
漏源击穿电压:60V
输入电容：6110pF
输出电容：1020pF
反向转移电容:771pF
MOS管KNX1906B 230A/60V封装图
MOS管KNX1906B 230A/60V规格书
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联系电话：0755-83888366-8022
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