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KIA35P10A替代CMD5950 PDF资料参数-KIA35P10A大批量供货-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-05-13 

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CMD5950产品概述

CMD5950采用先进的沟槽技术和设计,提供优良的低门电荷RDS(on),它可用于多种用途。


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CMD5950特征

P沟道

低电阻

快速切换100%

雪崩测试


CMD5950参数

漏源电压:-100V

栅源电压:20V

连续漏电流:-35a

脉冲漏极电流:-105a

雪崩电流:- 35 A

总功耗:50w

储存温度范围:- 55至150

工作结温度范围:150℃


KIA35P10A产品概述
MOS管35P10产品特征

1、RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V

2、100%EAS保证

3、绿色设备可用

4、超低门电荷

5、Cdv/dt效应低

6、先进的高密度槽道技术

7、KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术,以提供优良的RS(ON)和门KIA35P10A符合RoHS和Green的要求,适用于多种用途。KIA35P10A产品要求:100%EAS保证,功能可靠。


MOS管35P10产品参数

产品型号:KIA35P10A

工作方式:-35A/-100V

漏源极电压:-100V

栅源电压:±20V

单脉冲雪崩能:345MJ

雪崩电流:28A

总功耗:104W

操作和储存温度范围:-55℃至+150℃


KIA35P10A应用领域

1、电动车防盗器

2、农机


KIA35P10A封装


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KIA35P10A PDF文件

查看及下载规格书,请点击下图。


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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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