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KNX3403A可替代NCE3080K
NCE3080和KNX3403A两个型号为低压MOS管，KIA半导体是专业制造中、低、高压MOS管。KNX3403A可替代NCE3080K，接下来会写出NCE3080和KNX3403A两个型号的规格书、封装、参数等。
低压MOS管内阻特点
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
KIA半导体KNX3403A产品概述
（一）MOS管 KNX3403A 85A/30V参数
型号：KNX3403A
电流：85A
电压：30V
漏至源电压:30V
门到源电压:±20V
脉冲漏电流测试:340A
雪崩电流:25A
雪崩能源:156MJ
接头和储存温度范围:-55℃至+175℃
（二）MOS管 KNX3403A特点
RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V
无铅绿色设备
降低导电损耗
高雪崩电流
（三）KNX3403A封装
（四）KNX3403A规格书
查看规格书，请点击下图。
NCE3080K产品介绍
（一）NCE3080K产品概述
VDS=30V,ID=80A
RDS(ON)<6.5mΩ @VGS=10V
RDS(ON)<10mΩ @VGS=5V
超低RDSON高密度电池设计
完全特征雪崩电压和电流
良好的散热包装
高静电放电性能的特殊工艺技术
（二）NCE3080K产品应用
电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源
（三）NCE3080K产品参数详情
漏源电压：30V
栅源电压：±20V
漏电流连续:80A
脉冲漏电流:170A
最大功耗:83W
漏源击穿电压:30V
输入电容：4700PF
输出电容：4700PF
反向转移电容:345PF
（四）NCE3080K封装图
（五）MOS管 NCE3080K产品规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
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