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NCE3080K可替代什么品牌MOS管型号-NCE3080K中文资料-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-05-24 

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KNX3403A可替代NCE3080K

NCE3080和KNX3403A两个型号为低压MOS管,KIA半导体是专业制造中、低、高压MOS管。KNX3403A可替代NCE3080K,接下来会写出NCE3080和KNX3403A两个型号的规格书、封装、参数等。


低压MOS管内阻特点

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩

较强dv/dt能力

高电流峰值


KIA半导体KNX3403A产品概述
(一)MOS管 KNX3403A 85A/30V参数

型号:KNX3403A

电流:85A

电压:30V

漏至源电压:30V

门到源电压:±20V

脉冲漏电流测试:340A

雪崩电流:25A

雪崩能源:156MJ

接头和储存温度范围:-55℃至+175℃


(二)MOS管 KNX3403A特点

RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V

无铅绿色设备

降低导电损耗

高雪崩电流


(三)KNX3403A封装


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(四)KNX3403A规格书

查看规格书,请点击下图。


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NCE3080K产品介绍
(一)NCE3080K产品概述

VDS=30V,ID=80A

RDS(ON)<6.5mΩ @VGS=10V

RDS(ON)<10mΩ @VGS=5V

超低RDSON高密度电池设计

完全特征雪崩电压和电流

良好的散热包装

高静电放电性能的特殊工艺技术


(二)NCE3080K产品应用

电源切换应用

硬开关和高频电路

不间断电源


(三)NCE3080K产品参数详情

漏源电压:30V

栅源电压:±20V

漏电流连续:80A

脉冲漏电流:170A

最大功耗:83W

漏源击穿电压:30V

输入电容:4700PF

输出电容:4700PF

反向转移电容:345PF


(四)NCE3080K封装图


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(五)MOS管 NCE3080K产品规格书

查看及下载规格书,请点击下图。


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