6N70H,KIA6N70H,5.8A/700V
MOS管 6N70H产品概述
这款功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这个先进的技术是KIA半导体专门定制的。可以减少冲击，提供优越的开关性能，能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲，这款产品非常适合于高效率开关电源、有源功率因数校正，基于半桥拓扑。
KIA6N70H产品特点
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低栅电荷（典型16NC）
高耐用性
快速切换
雪崩测试100%
提高dv/dt能力
MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V参数
型号：KIA6N70H
工作方式：5.8A/700V
漏源电压：700V
脉冲漏电流:20* A
栅源电压:±30V
单脉冲雪崩能量:150MJ
雪崩电流:4.8A
重复雪崩能量:9.5MJ
峰值二极管恢复dv/dt:4.5 V/ns
漏源击穿电压:700V
MOS管 6N70H产品封装图
MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V规格书
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