场效应管,场效应管极

场效应管极是如何区分的

1.判断栅极G

MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间.

将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。

2.判断源极S、漏极D

将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）

在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。

场效应管,场效应管极

场效应结构及原理

1、场效应管（FET）以其高输入电阻、低噪、热稳定、便于集成的优点在电子电路以及大电流、大电压电路中应用十分普遍；正确使用、判别场效应管的管脚、极性十分必要；

2、同三极管一样，要熟练判别场效应管的管脚、极性必须先了解一下其结构、原理；

3、场效应管的管脚有栅极G、漏极D、源极S三个电极（双栅极管具有四个电极）；

4、场效应管按结构分结型场效应管（JFET）、绝缘栅场效应管（MOS），绝缘栅场效应管又分增强型和耗尽型；结型场效应管的“结”指的是pn结，绝缘栅场效应管的绝缘栅指的是栅极与源极、漏极之间有一层sio2绝缘层，它们之间没有导通连接关系。

5、按导电沟道性质，结型场效应管和绝缘栅场效应管又分电子型（n）沟道、空穴型（p）沟道，这是场效应管导电的通道；

6、场效应管属于单极性晶体管，三极管属于双极性晶体管，也即前者仅仅由一种载流子导电，后者是由两种载流子导电；

7、场效应管属于压控型晶体管，通过栅极与源极之间的电压的变化，来改变沟道的导电能力；三极管属于电流控制型晶体管，通过电流的变化改变集电极电流大小。

结型场效应管结构

场效应管,场效应管极

1.漏极D和源极S之间的半导体类型是相同的，也即同是p型或n型半导体，它们之间的正反向电阻是相等的，并且阻值比较小；

2.栅极G连接半导体类型与漏极D、源极S连接的半导体类型总是不同的；

3.栅极G与漏极、源极之间有pn结，pn结的正向电阻小，反向电阻大；结型场效应管工作原理：在栅极与源极上加上反向电压后，pn结厚度会发生变化，从而改变了导电沟道的导电能力；

绝缘栅场效应管结构

场效应管,场效应管极

（一）增强型MOS管从结构上看

1.栅极G与漏极D、源极S之间相绝缘，它们之间的电阻无限大；

2.没有外加电压时漏极与源极之间不导通；增强型NMOS管是以P型硅片作为基片（又称衬底），漏极连接的为N半导体，衬底与源极连在一起，故P型衬底与漏极N型半导体会形成二极管，称为寄生二极管；因此漏极和源极之间的反向电阻很小。

增强型MOS管工作原理：在栅极与源极之间加上正向电压后，达到一定值后就会形成导电沟道，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力；

（二）耗尽型MOS管从结构上看

1.栅极与漏极、源极绝缘，它们之间的电阻无限大；

2.漏极与源极之间能够导通，沟道在制造时就已形成；在栅极与源极之间加上反向向电压后，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力；

场效应管极的检测方法

一、结型场效应管

结型场效应管的漏极和源极在制造工艺上是对称的，故两极可以互换，不影响正常工作；只需要判别栅极和沟道类型将万用表拨至R×100Ω档，测量场效应管任意两个极之间的电阻，正反各一次，有以下几种情况：

1.若两次测的的阻值相同或相近，则这两极是漏极D、源极S，剩下的就是栅极；然后红笔不动，黑笔接触栅极，若阻值较大则测得的为pn节反向电阻，黑笔接的是n，红笔接的是p，所以该管子为p沟道,反之就是n沟道；

2.若两次测得的是一大一小，表明其中一个就是栅极，另一个就是漏极或源极。以阻值小的那一次为准，红笔不动，黑笔接另一个极，如果阻值小，并且与黑笔换极前测得的阻值相等或相近，则红笔接的是栅极，且该管子为p沟道；如果测得的阻值与黑笔换极前测得的阻值有较大差距，则黑笔换极前接的是栅极，该管子为n沟道场效应管；或者直接任意测量两极之间的正反向电阻，遇到第一种情况，即可判别栅极，这种比较简单。有兴趣的朋友可以试测一下3DJ6结型场效应管，该管子为电子型导电沟道。

场效应管,场效应管极

二、绝缘栅场效应管

NMOS增强型管‘

1.电极检测

正常的增强型NMOS管的栅极与漏极、源极之间均无法导通，它们的正反向电阻均无穷大，在G极无电压时，DS之间无沟道形成，但由于漏极源极之间存在一个反向寄生二极管，故漏极源极之间的反向电阻较小；选择R×1kΩ，测量各脚之间的正反向电阻；当出现一次阻值较小时，红笔接的是漏极，黑笔接的是源极，余下的引脚就是栅极。

NMOS耗尽型管

基本过程同上，源极、漏极能够导通，但由于反向寄生二极管的存在，两次的电阻是有差异的。

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