NCE80H16可用哪些品牌替代-MOS管参数、封装、规格书详情
NCE80H16替代MOS管品牌
KIA2808A可替代NCE80H16,KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!
KIA2808A产品特征
RDS(on) =4.0毫欧(典型值)@ VGS=10V
100%雪崩测试
可靠、坚固耐用
无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准)
KIA2808A产品参数
产品型号:KIA2808A
工作方式:150A/80V
漏源电压:80V
栅源电压:±25V
漏电流连续:150A
脉冲漏极电流:660A
雪崩能量:1.1***mJ
耗散功率:178W
热电阻:62.5℃/W
漏源击穿电压:80V
栅极阈值电压:2.0V
输入电容:6109PF
输出电容:995PF
上升时间:18ns
KIA2808A封装形式
KIA2808A产品应用
开关中的应用
逆变电源的电源管理
KIA2808A PDF产品附件
查看详情请点击下图
NCE80H16产品特征
VDS=80V,ID=160A
RDS(ON)<4.7mΩ@VGS=10V
超低RDSON高密度电池设计
稳定性好,均匀性好
良好的散热包装
高静电放电性能的特殊工艺技术
MOS管 NCE80H16参数
MOS管 NCE80H16封装尺寸及引脚图
(一)封装尺寸
(二)封装引脚图
MOS管 NCE80H16规格书
查看及下载规格书,请点击下图。
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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