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DTU09N03替代MOS管-MOS管型号规格书下载 封装 参数详情-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-07-08 

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DTU09N03替代MOS管KIA50N03A-MOS管型号规格书下载 封装 参数详情

DTU09N03替代产品

DTU09N03可用KIA50N03A替代,深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


KIA50N03A,DTU09N03替代,55A/30V


KIA半导体研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


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从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!


DTU09N03参数详情


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DTU09N03封装引脚图


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DTU09N03规格书

查看及下载规格书,请点击下图。


KIA50N03A,DTU09N03替代,55A/30V


MOS管50N03产品特征-KIA50N03A

1、先进的沟槽处理技术


2、高密度超低电阻电池的设计


3、完全确定雪崩电压和电流


4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A


5、Vds=30V


6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A


7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A


MOS管50N03产品主要参数-KIA50N03A

产品型号:KIA50N03A

工作方式:50A/30V

漏源极电压:30V

栅源电压:±20V

连续漏电流:50A

脉冲漏电流 :200A

操作接头和存储温度范围:-55℃至150℃

结对壳热阻:1.8℃/W

对周围环境的电阻:50℃/W


KIA50N03A封装引脚图


KIA50N03A,DTU09N03替代,55A/30V


KIA50N03A产品附件

以下为KIA50N03A产品PDF格式的产品详细资料,查看详情请点击下图。


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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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