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关于LED开关损耗与功率MOS 管

信息来源:本站 日期:2017-05-09 

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1.开关损耗与功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发烧可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,由于内阻越小,cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了。对于前者,留意不要将负载电压设置的太高,固然负载电压高,效率会高点。如果芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发烧。有的工程师没有留意到这个现象,直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流,这样做可能会严峻影响LED的使用寿命。在均匀电流不变的条件下,只能看着光衰了。不管如何降频没有好处,只有坏处,所以一定要解决。


2.主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。对于后者,可以尝试以下几个方面:a、将最小电流设置的再小点;b、布线干净点,特别是sense这个枢纽路径;c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感;d、加RC低通滤波吧,这个影响有点不好,C的一致性不好,偏差有点大,不外对于照明来说应该够了。


3、LED电流大小终于谈到重点了,我还没有入门,只能瞎说点饱和的影响了。也但愿有专家能给个详细指标,要不然影响LED的推广。 B、剩下的就是频率和驱动能力了,这里只谈频率的影响。想办法降低频率吧!不外要留意,当频率降低时,为了得到相同的负载能力,峰值电流必定要变大或者电感也变大,这都有可能导致电感进入饱和区域。假如散热解决的不好的话,LED一定要降额使用。


4、工作频率降频功率管的功耗分成两部门,开关损耗和导通损耗。变压器饱和时,L会变小,导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升,那么LED的峰值电流也随着增加。要留意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要弘远于导通损耗。


5、芯片发烧
建议仍是尽量控制小点。再简朴一点,就是考虑更好的散热吧。

LEDripple过大的话,LED寿命会受到影响,影响有多大,也没见过哪个专家说过。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。频率与导通损耗也成正比,所以功率管发烧时,首先要想想是不是频率选择的有点高。所以说,在设计前,公道的计算是必需的,假如理论计算的参数和调试参数差的有点远,要考虑是否降频和变压器是否饱和。以前问过LED厂这个数据,他们说30%以内都可以接受,不外后来没有经由验证。碰到这种情况,要看看电感电流波形。


6、电感或者变压器的选择

这个也是用户在调试过程中比较常见的现象,降频主要由两个方面导致。假如电感饱和电流够大,可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式),这样就需要增加一个负载电容了。良多用户反应,相同的驱动电路,用a出产的电感没有题目,用b出产的电感电流就变小了。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管散热片的消耗,简朴的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所认为了降低芯片的功耗,必需想办法降低c、v和f.假如c、v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,留意不要引入额外的功耗。


联系方式:邹先生

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