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什么是cool mosfet-cool mosfet与其他MOS的区别及优势等详解-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-08-07 

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什么是cool mosfet-cool mosfet与其他MOSFET的区别及优势等详解

cool mosfet介绍

什么是cool mosfet,对于常规VDMOS 器件结构, Rdson 与BV 这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI 参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI 参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson 就大了。Rdson直接决定着MOS 单体的损耗大小。


所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和,这就是常规VDMOS的局限性。但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI 的的P 区,大大提高了BV,同时对Rdson 上不产生影响。对于常规VDMOS,反向耐压,主要靠的是N 型EPI 与body区界面的PN结,对于一个PN 结,耐压时主要靠的是耗尽区承受,耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积。


常规VDSMO,P body 浓度要大于N EPI,大家也应该清楚,PN 结耗尽区主要向低参杂一侧扩散,所以此结构下,P body 区域一侧,耗尽区扩展很小,基本对承压没有多大贡献,承压主要是P body--N EPI 在N 型的一侧区域,这个区域的电场强度是逐渐变化的,越是靠近PN 结面,电场强度E越大。


什么是cool mosfet


对于COOLMOS 结构,由于设置了相对P body 浓度低一些的P region 区域,所以P 区一侧的耗尽区会大大扩展,并且这个区域深入EPI 中,造成了PN 结两侧都能承受大的电压,换句话说,就是把峰值电场Ec 由靠近器件表面,向器件内部深入的区域移动了。


什么是cool mosfet的结构及P区制造方法

1、多次注入法

之所以采用多次注入,是由于P区需要深入到EPI中,且要均匀分布,一次注入即使能注入到这么深,在这个深度中的分布也不会均匀,所以要采用多次注入法,如下图。


什么是cool mosfet


2、倾斜角度注入(STM技术)

除了多次注入法,能保证在EPI中注入这么深,并且保证不同位置的浓度差异不大的方法还有 STM技术(Super trench MOSFET)。采用倾斜角度注入,实现Super junction的结构(STM)。


什么是cool mosfet

STM结构的3D示意图


3、cool mosfet开深沟槽后外延生长填充形成P区

结构中纵向P型区的形成方法,通过在N型外延上开深沟槽,然后再利用外延工艺在沟槽内生长出P型单晶硅形成在N型外延上的P型区域,然后通过回刻工艺将槽内生长的P型外延单晶刻蚀到与沟槽表面平齐,以形成CoolMOS的纵向P型区域。该方法减少了工艺的复杂度和加工时间。


什么是cool mosfet-cool mosfet与其他MOSFET的区别

(1)结构上的区别

平面水平沟道的MOSFET的结构如下图所示。


什么是cool mosfet

平面水平沟道的MOSFET


它的源极S、漏极D和栅极G都处在硅单晶的同一侧,当栅极处于适当正电位时,其二氧化硅层下面的晶体表面区由P型变为N型(反型层),形成N型导电沟道。平面水平沟道的MOSFET在LSI(大规模集成电路)里得到了广泛的应用。MOSFET的理论里,要得到大的功率处理能力,要求有很高的沟道宽长比W/L,而平面水平沟道的MOSFET的沟道长L不能太小,因此只能增大芯片面积,这很不经济。所以其一直停留在几十伏电压,几十毫安电流的水平。


平面水平沟道的MOSFET的大功率处理能力的低下促使了垂直导电型MOSFET(VMOSFET)的出现,VMOSFET分为VVMOSFET和VDMOSFET两种结构,比较常用的是VDMOSFET,其结构如下两个图所示。


什么是cool mosfet

VVMOSFET结构图


什么是cool mosfet

VDMOSFET结构图


VVMOSFET是利用V型槽来实现垂直导电的,当Vgs大于0时,在V型槽外壁与硅表面接触的地方形成一个电场,P区和N+区域的电子受到吸引,当Vgs足够大时,就会形成N型导电沟道,使漏源极之间有电流流过。


VDMOSFET的栅极结构为平面式,当Vgs足够大时,两个源极之间会形成N型导电沟道,使漏源极之间有电流流过。


VDMOSFET比VVMOSFET更易获得高的耐压和极限频率,因此在大功率场合得到更多应用,我们在整流模块中常用的MOSFET都是VDMOSFET。


在高截止电压的VDMOSFET中,通态电阻的95%由N-外延区的电阻决定。因此,为了降低通态电阻,人们想了种种办法来降低N-外延区的电阻,有两种方法得到应用,这就是沟道式栅极MOSFET和Cool MOSFET,它们的结构分别如下两个图所示。


什么是cool mosfet

沟道式栅极MOSFET结构图


沟道式栅极MOSFET是将VDMOSFET中的“T”导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路,从而降低通态电阻。


什么是cool mosfet

 Cool MOSFET结构图


Cool MOSFET则是两个垂直P井条之间的垂直高掺杂N+扩散区域为电子提供了低阻通路,从而降低通态电阻。较低浓度的两个垂直P井条主要是为了耐压而设计的。Cool MOSFET的通态电阻为普通的VDMOSFET的1/5,开关损耗因此减为普通的VDMOSFET的1/2,但是Cool MOSFET固有的反向恢复特性的动态特性不佳。


(2)主要电气性能比较

Cool MOSFET和其他MOSFET种类繁多,为了能有一个直观的印象,现对SPP20N60CFD(Cool MOSFET)、IRFP460LC、IRFPC60LC、IXFH40N50进行主要电气性能比较,见表1。


什么是cool mosfet


表1 SPP20N60CFD、IRFP460LC、IRFPC60LC、IXFH40N50主要电气性能比较


从表1可以看出,Cool MOSFET的优点是:

1、通态电阻小,通态损耗小 

2、同等功率下封装小,有利于电源小型化 

3、栅极开启电压限高,抗干扰能力强 

4、栅极电荷小,驱动功率小 

5、节电容小,开关损耗小。


Cool MOSFET的缺点是:

1、热阻大,同等耗散功率下温升高 

2、能通过的直流电流和脉冲电流小。


(3)主要电气性能差异的原因

Cool MOSFET和其他MOSFET主要电气性能上的差异是由它们结构上的差异导致的。


Cool-MOS的优势

什么是cool mosfet,cool mosfet的优势有哪些?


1.通态阻抗小,通态损耗小

由于SJ-MOS 的Rdson 远远低于VDMOS,在系统电源类产品中SJ-MOS 的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET 的导通损耗,提高了系统产品的效率,SJ-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上,优势表现的尤为突出。


2.同等功率规格下封装小,有利于功率密度的提高

首先,同等电流以及电压规格条件下,SJ-MOS 的晶源面积要小于VDMOS 工艺的晶源面积,这样作为MOS 的厂家,对于同一规格的产品,可以封装出来体积相对较小的产品,有利于电源系统功率密度的提高。


其次,由于SJ-MOS 的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗,因为这些损耗都是以热量的形式散发出去,我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS 单体的温升,使其保证在合适的温度范围内。由于SJ-MOS 可以有效的减少发热量,减小了散热器的体积,对于一些功率稍低的电源,甚至使用SJ-MOS 后可以将散热器彻底拿掉。有效的提高了系统电源类产品的功率密度。


3.栅电荷小,对电路的驱动能力要求降低

传统VDMOS 的栅电荷相对较大,我们在实际应用中经常会遇到由于IC 的驱动能力不足造成的温升问题,部分产品在电路设计中为了增加IC 的驱动能力,确保MOSFET 的快速导通,我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路,从而增加了电路的复杂性。SJ-MOS 的栅电容相对比较小,这样就可以降低其对驱动能力的要求,提高了系统产品的可靠性。


4.节电容小,开关速度加快,开关损耗小

由于SJ-MOS 结构的改变,其输出的节电容也有较大的降低,从而降低了其导通及关断过程中的损耗。同时由于SJ-MOS 栅电容也有了响应的减小,电容充电时间变短,大大的提高了SJ-MOS 的开关速度。对于频率固定的电源来说,可以有效的降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上,效果更加明显。


cool mosfet系统应用可能会出现的问题

1、纹波噪音差

由于SJ-MOS 拥有较高的dv/dt 和di/dt,必然会将MOSFET 的尖峰通过变压器耦合到次级,直接造成输出的电压及电流的纹波增加。甚至造成电容的温升失效问题的产生。


2、抗浪涌及耐压能力差

由于SJ-MOS 的结构原因,很多厂商的SJ-MOS 在实际应用推广替代VDMOS 的过程中,基本都出现过浪涌及耐压测试不合格的情况。这种情况在通信电源及雷击要求较高的电源产品上,表现的更为突出。这点必须引起我们的注意。


3、漏源极电压尖峰比较大

尤其在反激的电路拓扑电源,由于本身电路的原因,变压器的漏感、散热器接地、以及电源地线的处理等问题,不可避免的要在MOSFET 上产生相应的电压尖峰。针对这样的问题,反激电源大多选用RCD SUNBER 电路进行吸收。由于SJ-MOS 拥有较快的开关速度,势必会造成更高的VDS 尖峰。如果反压设计余量太小及漏感过大,更换SJ-MOS 后,极有可能出现VD 尖峰失效问题。


4、EMI可能超标

由于SJ-MOS 拥有较小的寄生电容,造就了超级结MOSFET 具有极快的开关特性。因为这种快速开关特性伴有极高的dv/dt 和di/dt,会通过器件和印刷电路板中的寄生元件而影响开关性能。对于在现代高频开关电源来说,使用了超级结MOSFET,EMI 干扰肯定会变大,对于本身设计余量比较小的电源板,在SJ-MOS 在替换VDMOS 的过程中肯定会出现EMI 超标的情况。


5、栅极震荡

功率MOSFET 的引线电感和寄生电容引起的栅极振铃,由于超级结MOSFET 具有较高的开关dv/dt。其震荡现象会更加突出。这种震荡在启动状态、过载状况和MOSFET 并联工作时,会发生严重问题,导致MOSFET失效的可能。


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