(1) 开启电压VT :在VDS为一固定数值时,能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增强)
(2) 夹断电压VP :在VDS为一固定数值时,使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)
(3) 饱和漏极电流IDSS :在VGS = 0时,管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)
(4) 极间电容 :漏源电容CDS约为 0.1~1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1~3pF。
(5) 低频跨导 gm :表示VGS对iD的控制作用。在转移特性曲线上,gm 是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为 S 或 mS。
(6) 最大漏极电流 IDM
(7) 最大漏极耗散功率 PDM
(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS
1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、可以用作可变电阻。
4、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作电子开关。
MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小。这就是常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。
我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用,但是MOS管不能单独使用,它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路,才能发挥充分它的优势。
接下来我们了解一下KIA半导体600V-700V的MOS管型号、封装、参数。
深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
KIA半导体已经有强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!
以下是600V-700V MOS管选型,如需了解更多型号或其他产品,请联系我们!我们将竭诚为您服务!
Part Number |
ID(A) |
BVDSS(v) |
Typical RDS(ON)@60% ID(Ω) |
MAX RDS(ON)@60% ID(Ω) |
ciss |
pF |
|||||
KNX4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
KIA7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
KNX4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
KNX4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
KNX6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
KIA6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
KNX4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
KIA5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
KNX4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
KNX4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
KNX7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助