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600V-700V MOS管型号 参数 封装-MOS管原装正品 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-08-30 

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600V-700V MOS管型号 参数 封装-MOS管原装正品 免费送样

MOS管的主要参数有哪些?

(1) 开启电压VT :在VDS为一固定数值时,能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增强)


(2) 夹断电压VP :在VDS为一固定数值时,使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)


(3) 饱和漏极电流IDSS :在VGS = 0时,管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)


(4) 极间电容 :漏源电容CDS约为 0.1~1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1~3pF。


(5) 低频跨导 gm :表示VGS对iD的控制作用。在转移特性曲线上,gm 是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为 S 或 mS。


(6) 最大漏极电流 IDM


(7) 最大漏极耗散功率 PDM


(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS


MOS管的作用

1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。


2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。


3、可以用作可变电阻。


4、可以方便地用作恒流源。


5、可以用作电子开关。


MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小。这就是常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。


我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用,但是MOS管不能单独使用,它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路,才能发挥充分它的优势。


接下来我们了解一下KIA半导体600V-700V的MOS管型号、封装、参数。


600V-700V MOS管原厂

深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


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KIA半导体已经有强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


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KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。


从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!


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600V-700V MOS管选型

以下是600V-700V MOS管选型,如需了解更多型号或其他产品,请联系我们!我们将竭诚为您服务!


Part Number

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KNX4365A

4

650

2

2.5

523

KIA7N65H

7

650

1.2

1.4

1000

KNX4665B

7

650

1.1

1.4

1048

KNX4665A

7.5

650

1.1

1.4

970

KIA10N65H

10

650

0.65

0.75

1650

KNX6165A

10

650

0.6

0.9

1554

KIA12N65H

12

650

0.63

0.75

1850

KIA6N70H

5.8

700

1.8

2.3

650

KNX4360A

4

600

1.9

2.3

511

KIA5N60E

4.5

600

2

2.5

780

KNX4660A

7

600

1

1.25

1120

KNX4760A

8

600

0.85

1.1

1250

KIA10N60H

9.5

600

0.6

0.73

1570

KIA12N60H

12

600

0.53

0.65

1850

KNX7160A

20

600

0.35

0.45

2800


600V-700V MOS管型号


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