35P10规格书-35P10封装引脚-35P10 -35A/ -100V原厂正品保证
MOS管 35P10 -35A/ -100V产品特点
1、RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V
2、100%EAS保证
3、绿色设备可用
4、超低门电荷
5、Cdv/dt效应低
6、先进的高密度槽道技术
7、KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术,以提供优良的RS(ON)和门KIA35P10A符合RoHS和Green的要求,适用于多种用途。KIA35P10A产品要求:100%EAS保证,功能可靠。
MOS管 35P10 -35A/ -100V产品主要参数
型号:KIA35P10A
工作方式:-35A/ -100V
栅源电压:±20V
脉冲漏电流:-100A
单脉冲雪崩能量:345mJ
雪崩电流:28A
总功耗:104W
操作和储存温度范围:-55℃至+150℃
漏源击穿电压:-100V
栅源漏电流:±100nA
输入电容:4920pF
输出电容:223pF
反向转移电容:125pF
MOS管 35P10 -35A/ -100V封装引脚图
MOS管 35P10 -35A/ -100V电路特征
MOS管 35P10 -35A/ -100V规格书
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