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300V MOS管选型-300V MOS管型号参数、封装尺寸、价格等资料-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-09-05 

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300V MOS管选型-300V MOS管型号参数、封装尺寸、价格等资料

300V MOS管型号-KNX9130A主要参数详情

型号命名:KNX9130A

工作方式:40A/300V

漏源电压:300V

门-源电压:±20V

连续漏电电流:40A

单脉冲雪崩能量:1250MJ

二极管峰值恢复:5.0V/ns

漏源击穿电压:300V

输入电容:3100pF

输出电容:250pF

反向传输电容:80pF


300V MOS管型号-KNX9130A产品特点

RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V

专有的新平面技术

低栅电荷最小开关损耗

快速恢复体二极管


 MOS管型号-KNX9130A产品应用领域

1、不间断电源

2、直流-直流变换器

3、电机控制

4、其他领域


300V MOS管型号-KNX9130A产品封装实物图


300V MOS管


300V MOS管


300V MOS管原厂

深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


300V MOS管


KIA半导体也一直执行全面质量管理体系,是将所有产品质量从芯片设计开始,一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品,在相关环节的质量状态和信息都是有效控制,确保提供给客户的产品是安全可靠的。

需要咨询更多产品信息、价格、封装等资料,请联系我们,我们将竭诚为您服务!


MOS管参数介绍

ards---漏源电阻温度系数

aID---漏极电流温度系数

Vn---噪声电压

η---漏极效率(射频功率管)

Zo---驱动源内阻

VGu---栅衬底电压(直流)

VDu---漏衬底电压(直流)

Vsu---源衬底电压(直流)

VGD---栅漏电压(直流)

VDS(sat)---漏源饱满电压

VDS(on)---漏源通态电压

V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压

Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)

VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)

VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)

VGSR---反向栅源电压(直流)

VGSF--正向栅源电压(直流)

Tstg---贮成温度

Tc---管壳温度

Ta---环境温度

Tjm---最大容许结温

Tj---结温

PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)

POUT---输出功率

PIN--输入功率

PDM---漏极最大容许耗散功率

PD---漏极耗散功率

R(th)ja---结环热阻

R(th)jc---结壳热阻

RL---负载电阻(外电路参数)

Rg---栅极外接电阻(外电路参数)

rGS---栅源电阻

rGD---栅漏电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

rDS(on)---漏源通态电阻

rDS---漏源电阻

Ls---源极电感

LD---漏极电感

L---负载电感(外电路参数)

Ku---传输系数

K---失调电压温度系数

gds---漏源电导

ggd---栅漏电导

GPD---共漏极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨导

Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)

Iu---衬底电流

IDSS2---对管第二管漏源饱满电流

IDSS1---对管第一管漏源饱满电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IF---二极管正向电流

IGP---栅极峰值电流

IGM---栅极脉冲电流

IGSO---漏极开路时,截止栅电流

IGDO---源极开路时,截止栅电流

IGR---反向栅电流

IGF---正向栅电流

IG---栅极电流(直流)

IDS(sat)---沟道饱满电流(漏源饱满电流)

IDSS---栅-源短路时,漏极电流

IDSM---最大漏源电流

IDS---漏源电流

IDQ---静态漏极电流(射频功率管)

ID(on)---通态漏极电流

dv/dt---电压上升率(外电路参数)

di/dt---电流上升率(外电路参数)

Eas:单次脉冲雪崩击穿能量

Ear:重复雪崩击穿能量

Iar:雪崩电流

Ton:正导游通时刻.(根本能够忽略不计).

Qrr :反向恢复充电电量.

Trr :反向恢复时刻.

VSD :正导游通压降.

ISM:脉冲最大续流电流(从源极).

IS :接连最大续流电流(从源极).

EAR:重复雪崩击穿能量.

IAR :雪崩电流.

EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,阐明 MOSFET 所能接受的最大雪崩击穿能量.


联系方式:邹先生

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手机:18123972950

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