KCX6265A 11A/ 650V TO-220F封装 N沟道MOS管原厂
MOS管KCX6265A 11A/ 650V产品描述
MOS管KCX6265A是采用KIA半导体公司先进的超结技术生产，这个先进的技术是专门定制、以减少传导损失，提供优越的切换性能，在雪崩和切换模式下承受高能脉冲适用于交直流功率转换开关运行，效率高。
MOS管KCX6265A 11A/ 650V产品特点
RDS(on)=0.33Ω(typ.)@VGS=10V
低栅极电荷
高耐用
快速切换
100%雪崩试验
MOS管KCX6265A 11A/ 650V产品主要参数
漏源电压：650V
栅源电压:±30V
漏电流脉冲：44A
单脉冲雪崩能量:250MJ
雪崩电流：11A
峰值二极管恢复dv/dt：15V/ns
操作和储存温度范围：-55℃至150℃
漏源击穿电压：650V
栅极电阻:5.2Ω
输入电容：632pF
输出电容：37pF
反向转移电容：2.3pF
MOS管KCX6265A 11A/ 650V封装图
KCX6265A 11A/ 650V TO-220F
MOS管KCX6265A 11A/ 650V TO-220F电路特征
MOS管KCX6265A 11A/ 650V规格书
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