5G通讯基站保护板专用MOS管原厂优势凸显 KNX2710A 160A/100V

5G通讯基站

5G基站是5G网络的核心设备，基站的架构、形态直接影响5G网络的部署策略。在目前的技术标准中，5G的频段远高于当前的2G和3G，5G频段的特点也决定着在达到3G覆盖质量的情况下，5G的基站密度将更高。

5G通讯基站逻辑架构

5G基站主要用于提供5G空口协议功能，支持与用户设备、核心网之间的通信。按照逻辑功能划分，5G基站可分为5G基带单元与5G射频单元，二者之间可通过CPRI或eCPRI接口连接。

5G基带单元负责NR基带协议处理，包括整个用户面（UP）及控制面（CP）协议处理功能，并提供与核心网之间的回传接口（NG接口）以及基站间互连接口（Xn接口）。

5G射频单元主要完成NR基带信号与射频信号的转换及NR射频信号的收发处理功能。在下行方向，接收从5G基带单元传来的基带信号，经过上变频、数模转换以及射频调制、滤波、信号放大等发射链路（TX）处理后，经由开关、天线单元发射出去。在上行方向，

5G射频单元通过天线单元接收上行射频信号，经过低噪放、滤波、解调等接收链路（RX）处理后，再进行模数转换、下变频，转换为基带信号并发送给5G基带单元。

5G通讯基站保护板专用MOS管 KNX2710A 160A/100V产品特征

专有新沟槽技术

RDS(ON),typ.=4.5mΩ@VGS=10V

低栅极电荷使开关损耗最小化

快恢复体二极管

5G通讯基站保护板专用MOS管 KNX2710A 160A/100V产品主要参数

型号：KNX2710A

工作方式：160A/100V

漏源电压：100V

栅极到源极电压:±20V

连续漏电流:160A/80A/120A

脉冲漏电流在VGS=10V：640A

单脉冲雪崩能量:1200MJ

峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns

功耗:333W

漏源击穿电压:100V

输入电容:8000pF

反向转移电容:950pF

输出电容:760pF

5G通讯基站保护板专用MOS管 KNX2710A 160A/100V封装图

5G通讯基站保护板专用MOS管 KNX2710A 160A/100V规格书

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5G通讯基站保护板专用MOS管原厂简介

深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

现已经拥有了独立的研发中心，研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队，可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案，同时引进多台国外先进设备，业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。

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KIA专注于产品的精细化与革新，力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。

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