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MOS管3400原厂
KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
拥有20年多年的企业历史及16年的品牌历史的可易亚，多年来一直坚持创新技术，专注自主研发及制造MOS管，引进多台国外先进设备，业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。
MOS管3400参数、封装、规格书等产品数据
（一）MOS管3400产品概述
KIA3400采用了先进的沟槽技术，提供给良好的RDS（on），低门电荷门极电压低至2.5V。KIA3400适合用于负载开关或是用于脉宽调制应用。KIA3400是标准产品（符合ROHS和Sony 259规范）。
（二）MOS管3400的产品特征
VDS(V)=30V
RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)
RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)
RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)
（三）MOS管3400封装图
（四）MOS管3400主要参数
型号：KIA3400
漏源电压：30V
栅源电压：±12V
持续漏电流：4.8A
脉冲漏极电流:30A
结温和储存温度范围:-55℃-150℃
漏源击穿电压：30V
（五）MOS管3400规格书
在线查看及下载规格书，请点击下图。
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