深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

集射极间电压

信息来源:本站 日期:2017-05-15 

分享到:


射极开路的时分,集射极间能够承受的最大电压 。它是器件的最小额定电压。假设基射极间的电阻很小  ( 50 lOO!l) ,那么在关断状态下晶体管能够承受一个更高的电压。



大功率晶体管 ( 集电极无缓冲器) 关断时,典型的集电极电流F降和集射极间电压上升过程  2N6836 C 15A、850V ) 的MOS开关电路时间 晶体管能够安全承受的最高电压。这是在关断的瞬间呈现漏感尖峰时 ,晶体管能够承受的最大电压 。只需在关断期间,基极存在一个一I5V的反向尖峰电压时,晶体管才干承受这个电压。反向偏置的基极电压或电压尖峰必需由基极驱动电路提供 ,其持续时间必需大于漏感尖峰的持续时间 。


反向偏置安全工作区域。在关断期间,le-Vee曲线不能越过给出的边境。就算是一次越界也可能损坏晶体管,由于电流会集中在芯片的某个小部分 ,招致局部过热  。若在关断瞬 间加上]~5V的反偏电压,可工作在边境以内。若关断时 Vbe=O ,则晶体管只能工作在区域内 .能同时满足高、低卢值的晶体管工作恳求的设计方案产品的卢值的离散性很大,可能相差4倍之多。假设基极电流可以较好的驱动卢值低的晶体管,那么它将对F值高的晶体管构成很强的过驱动 ,招致过长的储存时间 。假设要缩短过 长的储存时间 ,需求的反向基极电流就会相当大 。


联系方式:邹先生

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”

长按二维码识别关注