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MOS管损毁原因大总结 看得明明白白-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2020-03-03 

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MOS管损毁原因大总结 看得明明白白

本文主要讲MOS管损毁原因,会从4个方面来讲。希望对大家有所帮助。MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。


1、MOS管损毁原因-在电源电压方面


1)、过流-------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;


2)、过压-------源漏过压击穿、源栅极过压击穿;


3)、静电-------静电击穿。CMOS电路都怕静电;


2、MOS管损毁原因-在MOS管电源电压方面


1)、漏源电压过大,MOS管烧坏。现象:MOS管D、S两端短路;


2)、漏源电流过大,MOS管烧坏。现象:MOS管D、S两端短路;


3)、栅源电压过大,MOS管烧坏。现象:MOS管G、D、S短路;


3、MOS管损毁原因-其他方面


1)、堵转会使电机感应电动势升高,使电机电流大增过流保护太迟钝;


2)、同时导通;


3)、功率过大;


4)、散热不足;


5)、频率太高;


6)、MOS管内阻未充分考虑,导致开关阻抗增大;


4、MOS管损毁原因-会对MOS管造成的影响


1)、MOS管吸附灰尘,改变线路间的阻抗,影响MOS管的功能和寿命。


2)、因电场或电流破坏元件绝缘层和导体,使MOS管不能工作(完全破坏)。


3)、因瞬间的电场软击穿或电流产生过热,使MOS管受伤,虽仍能工作,但是寿命受损。



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