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结型场效应管JFET知识详解(附上图文)结构及四个工作区-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2020-08-14 

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结型场效应管JFET知识详解(附上图文)结构及四个工作区

什么是场效应管(JFET)

场效应管(JFET)它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类: 结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。


在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两个P区连起来,就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D,从两个P区引出的电极叫栅极G,很薄的N区称为导电沟道。


结型场效应管分类:N沟道和P沟道两种。如下图所示为N沟道管的结构和符号。

JFET,场效应管


如图所示为N沟道结型场效应管的结构示意图

JFET,场效应管

JFET,场效应管


输出特性可以分为四个工作区:

JFET,场效应管

JFET,场效应管


场效应管在手机射频电路中作为放大元件使用,在逻辑电路一般作开关元件使用。与三极管一样,场效应管必须加上适当的偏压,才能正常工作,才能起放大、振荡很有成效作用。其中P沟通型场效应管必须加上负的栅—源电压,而N沟道型场效应管工作必须加上正的栅—源电压。


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