深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

MOS管 MOS管电容器 MOSFET导通

信息来源:本站 日期:2017-05-27 

分享到:

半导体kia器件存储器可区分为挥发性与非挥发件性存储器两类.挥发性存储器,如动态随机存储器和静态随机存储器,若其电源供应关闭,将会丧失所储存的信息,相比之下,非挥发性存储器却能在电源供应关闭时保留所储存的信息,目前,DRAM与SRAM被广泛地使用于个人电脑以及工作站,主要归因于DRAM的高密度与低价格以及SRAM的高速,非挥发性存储器则广泛应用于如移动电活、数码相机及智能IC卡等便携式的电子系统中,主要是因为它提供低功率损耗及非挥发性的能力.

DRAM

   近代的DRAM技术使用如图6.39所示[16]的存储单元阵列,存储单元含有一个MOSFET以及一个MOS电容器(即l晶体管/1电容器或1T、C存储单元).MOSFET的作用就如同一个开关,用来控制存储单元写入、更新以及读出的操作,电容器则作为电荷储存之用.在写入周期中,MOSFET导通,因此位线中的逻辑状态可转移至储存电容器之中.在实 际应用上,由于储存端有虽小但不可忽略的漏电流,使得储存于电容器中的电荷会逐渐地流失.因此,DRAM的工作是“动态”的,因为其信息需要周期性(一般为2ms~50ms)地重新更

 新.

   1T/1C DRAM存储单元的优点在于其结构非常简单且面积小,为了增加KIA芯片中的存储密度,按比例缩小存储单元的尺寸是必须的:然而由于:电容器电极面积也会随之缩减,因而降低了电容器的储存能力,为了解决这一问题,需要借助三维空间(3-D)结构的电容器,一些先进的3-D电容器将于第14章中加以讨论.利用高介电常数的材料米取代传统的氧化物-氮化物复合材料(介电系数为4-6)作为电容器的介电材料,可增加其电容值.

SRAM

   SRAM是使用一双稳态的触发器结构来储存逻辑状态的静态存储单元阵列,如图6. 40所示,触发器结构包含了两个相互交叉的CMOS反相器对(T1、T3以及T2、T4).反相器的输出端连接至另一个反相器的输入端,此结构称为“锁存器”. T1与Tc这两个额外的n沟道MoSFET的栅极连接至字线,以用来读取该SRAM存储单元.因为只要电源持续供给,则其逻辑状态将维持不变,故SRAM的工作是。静态的,因此SRAM不需要被更新,反相器中两个p沟道MOSFET( T1与T2)的作用,就如同负载晶体管一般.除了在开关的过程中,几乎并没有电流流过存储单元,在某些情况下,p沟道多晶硅TFT或多晶硅电阻可用来取代本体p沟道MOSFET.这些多晶硅的负载器件可以制作在本体n沟道MOSFET的上方,因此3—D的集成化可有效地减少存储单元面积,进而增加芯片的储存密度.