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mos管是什么 三极管和mos管有时什么区别

信息来源:本站 日期:2017-06-01 

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mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的,他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下,这个两个区是一样的,即便两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被以为是对称的。三极管,是一种电流控制电流的半导体器件-其作用是把微小信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体根本元器件之一,具有电放逐大作用,是电子电路的中心元件。三极管是在一块半导体基片上制造两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分红三局部,中间局部是基区,两侧局部是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。



工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.

功耗问题:三极管损耗大。

驱动才能:mos管常用来电源开关,以及大电流中央开关电路。


MOS管用于高频高速电路,大电流场所,以及对基极或漏极控制电流比拟敏感的中央。普通来说低本钱场所,普通应用的先思索用三极管,不行的话思索MOS管实践上说电流控制慢,电压控制快这种了解是不对的。要真正了解得理解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才干明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正导游通电压(工程上普通以为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时假如集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实践上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区抵达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持均衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程相似一个雪崩过程。集电极的电子经过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,假如这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到均衡状态,这个过程需求时间。而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因而能够用作高速开关管。