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MOS场效应管判断好坏及判断注意事项-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2020-09-28 

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MOS场效应管判断好坏及判断注意事项-KIA MOS管

MOS场效应管如何判断好坏

(一)结型场效应晶体管的检测

1.判别电极与管型

用万用表R×100档或R×1k档,用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大(无穷大)或阻值均较小(几百欧姆至一千欧姆),则可判断黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源S和漏极D。


MOS场效应管判断好坏


MOS场效应管判断好坏,在两个阻值均为高阻值的一次测量中,被测管为P沟道结型场效应晶体管;在两个阻值均为低阻值的一次测量中,被测管为N沟道结型场效应晶体管。也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等,且为几千欧姆,则这两个电极分别为漏极D和源极S,另一个电极为栅极G。结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性,可以互换使用。若测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0或为无穷大,则说明该管已击穿或已开路损坏。


2.检测其放大能力

用万用表R×100档,红表笔接场效应管的源极S,黑表笔接其漏极D,测出漏、源极之间的电阻值RSD后,再用手捏信栅极G,万用表指针会向左或右摆动(多数场效应管的RSD会增大,表针向左摆动;少数场效应管的RSD会减小,表针向右摆动)。只要表针有较大幅度的摆动,即说明被测管有较大的放大能力。


MOS场效应管判断好坏



(二)双栅场效应晶体管的检测

1.电极的判别

MOS场效应管判断好坏,大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列顺序是相同的,即从场效应晶体管的底部(管体的背面)看,按逆时针方向依次为漏极D、源极S、栅极G1和栅极G2。因此,只要用万用表测出漏极D和源极S,即可找出两个栅极。


检测时,可将万用表置于R×100档,用两表笔分别测任意两引脚之间的正、反向电阻值。当测出某两脚之间的正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆(其余各引脚之间的电阻值均为无穷大),这两个电极便是漏极D和源极S,另两个电极为栅极G1和栅极G2。


2.估测放大能力

用万用表R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时,用手指捏住两个栅极,加入人体感应信号。若加入人体感应信号后,RSD的阻值由大变小,则说明该管有一定有放大能力。万用表指针向右摆越大,说明其放大能力越强。


3.判断其好坏

MOS场效应管判断好坏,用万用表R×10档或R×100档,测量场效应晶体管源极S和漏极D之间的电阻值。正常时,正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆。且黑表笔接漏极D、红表笔接源极S时测得的电阻值较黑表笔接源极S、红表笔接D时测得的电阻值要略大一些。若测得D、S极之间的电阻值为0或为无穷大,则说明该管已击穿损坏或已开路损坏。用万用表R×10k档,测量其余各引脚(D、S之间除外)的电阻值。正常时,栅极G1与G2、G1与D、G1与S、G2与D、G2与S之间的电阻值均应为无穷大。若测得阻值不正常,则说明该管性能变差或已损坏。


如何快速判断其好坏及引脚功能

1.用10K档,内有15伏电池。可提供导通电压。

2.因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管。

3.利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便。但要放电时需短路管脚或反充。

4.大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断。

5.大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源。

以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏。如果对新拿到的不明MOS管,可以通过测定来判断脚极,只有准确判定脚的排列,才能正确使用。


管脚测定方法:

①栅极G的测定:用万用表R&TImes;100档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百Ω),该两脚是D、S,第三脚为G。

②漏极D、源极S及类型判定:用万用表R&TImes;10kΩ档测D、S问正反向电阻,正向电阻约为0.2&TImes;10kΩ,反向电阻(5一∞)X100kΩ。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与G碰一下,然后回去再接原引脚,出现两种情况:

a.若读数由原来较大值变为0(0&TImes;10kΩ),则红表笔所接为S,黑表笔为D。用黑表笔接触G有效,使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω,还可证明该管为N沟道。

b.若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触G,碰一下之后立即回到原脚,此时若读数为0Ω,则黑表笔接的是S极、红表笔为D极,用红表笔接触G极有效,该MOS管为P沟道。


MOS场效应管判断好坏


怎么判断场效应管好坏的注意事项

(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。

(2)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构。

(3)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

(4)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W。



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