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MOS管热阻参数解读及热阻测试原理-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2020-10-10 

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MOS管热阻参数解读及热阻测试原理-KIA MOS管


MOS管热阻参数解读(热阻、输入输出电容及开关时间)

以下用到的SPEC参数是Rohm的NMOS管RE1C001UN

定义:热阻指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是℃/W或者是K/W。半导体散热的三个途径,封装顶部到空气,封装底部到电路板,封装引脚到电路板。


热阻的计算


MOS管热阻


Tj:芯片结温,Ta:芯片环境温度,热阻ThetaJA = (Tj-Ta)/P

还有一些其他的热阻参数如下:

ThetaJA=(Tj-Ta)/P,结到空气环境的热阻。

ThetaJC=(Tj-Tc)/P,结到封装外壳的热阻,一般而言是到封装顶部的热阻,所以一般的,ThetaJC = ThetaJT

ThetaJB=(Tj-Tb)/P,结到PCB的热阻。


ThetaJA参数综合了Die的大小, 封装方式,填充材料,封装材料,引脚设计,外部散热片和外部电路板的属性多个因素,综合来讲ThetaJA和用的器件以及PCB设计有关。ThetaJC和ThetaJB这2个参数是表征芯片和封装本身的,不会随着芯片封装外部环境的改变而改变。


MOS管热阻参数解读

Power dissipation:功率损耗,指的是NMOS消耗功率不能超过150mW

Junction temperature:结温,结面温度,指的是NMOS最高结温不能超过150℃

Thermal resistance:热阻,如下的833℃/W指的是NMOS结面相对于环境温度的热阻是833℃/W,假如器件消耗的功率是1W,那温升就是833℃


MOS管热阻


当NMOS工作在最大功率150mW,那NMOS结到空气的温度就是150/1000*833≈125℃,芯片结温就是125+25=150℃


MOS管电容

输入电容Ciss,指的是DS短接,用交流信号测得的GS之间的电容,Ciss由GS电容和GD电容并联而成,即Ciss=Cgs+Cgd,当输入电容充电至阈值电压,MOS管才打开,放电至一定的值,MOS管才关闭,所以Ciss和MOS管的开启关闭时间有很大的关系。


输出电容Coss,指的是GS短接,用交流信号测得的DS之间的电容,Coss由GD电容和DS电容并联而成,即Coss=Cgd+Cds

反向传输电容Crss,指的是S接地,GD之间的电容,即Crss=Cgd

MOS管关闭下,Cgs要比Cgd大得多,Cgd=1.7pF,那Cgs=7.1-1.7=5.4pF


MOS管热阻


从SPEC给的图看,3个电容的大小和DS电压有很大关系,尤其是Coss和Crss


MOS管热阻


有的一些MOS管SPEC中还有如下的Qg,Qgs,Ggd,指的是充满这些电容所需要的电荷数,所需要的充电电荷数越少,MOS管开关速度就越快。


MOS管热阻


MOS管关闭下,Cgs要比Cgd大的多,但是发现Qgd比Qgs大得多,这是受到米勒电容的影响


MOS管热阻


MOS管的开关时间

结合一下图片理解MOS管的开关时间。

最左边绿色部分,ID和UD几乎不变,因为这时候UGS没有上升到阈值电压,MOS管是关闭状态,把UGS从0增大到阈值电压前这段时间叫Turn-on delay time。紧接着紫色部分,当UGS上升到阈值电压后,随着UGS再继续增大,ID也逐渐增大,UD逐渐减小,直到ID到最大值,UD到最小值,这段时间叫Rise time。


同理,MOS管在关闭时,UGS没有下降到阈值电压,ID和UD都是不变的,把UGS下降到阈值电压前这段时间叫Turn-off delay time,随着UGS逐渐减小,ID减小到最小值,UD增大到最大值,这段时间叫Fall time。


MOS管热阻


MOS管热阻测试原理

热阻是依据半导体器件PN结在指定电流下两端的电压随温度变化而变化为测试原理,来测试功率半导体器件的热稳定性或封装等的散热特性,通过给被测功率器件施加指定功率、指定时间,PN结两端的电压变化(△VBE/△VF/△VGK/△VT/△VSD)作为被测器件的散热判据。并与指定规范值比较,根据测试结果进行筛选,将散热性差的产品筛选掉,避免散热性差的产品在应用过程中,因温升过高导致失效。


MOS热阻测试是通过测试MOS体二极管两端电压变化△VSD来实现的,先后分别测试MOS管MOS体二极管正向压降Vsd1(加热前)和Vsd2(加热后)。步骤:1、MOS加热前,先测量让MOS体二极管以Is电流(Is=10mA)流动时的Vsd1值,原理图见下图-左;2、给MOS管Vgs加压,让MOS以ID电流开通PT时间,加热MOS管,原理图见下图-中;3、再测量让MOS体二极管以Is电流(Is=10mA)流动时的Vsd2值,原理图见下图-右;4、DVDS=Vsd1-Vsd2,DVDS?正常合格范围为45~85mV;


MOS管热阻


MOS管热阻




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