场效应管知识详解-场效应管如何导通,有哪些要点？必看-KIA MOS管

场效应管导通要点

场效应管是如何导通的 在使用场效应管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑场效应管的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。

这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的。此文谈谈对场效应管导通电阻的认识，包括导通条件等知识，希望对大家的电路设计有所帮助。场效应管的导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

场效应管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于场效应管是电压控制元件，所以主要由栅源电压UGS决定其工作状态。N沟道结型场效应管的特性：Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

P沟道结型场效应管的特性：Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然P沟道结型场效应管可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用N沟道结型场效应管。

下面是N沟道结型场效应管的导通条件：UGS(off)

何为场效应管的导通电阻

随着半导体技术的飞速发展，场效应管的性能大幅度提高，其中最重要的是导通电阻达到毫欧数量级。场效应管的导通电阻是指在G、S极间加上一个偏压（N沟道为G＋、S-、P沟道为G-、S＋），场效应管导通时，D、S极间的电阻值。

导通电阻这个参数在低压大电流场合尤其重要，甚至比耐压和电流指标还重要，所以尼克森公司的贴片低压场效应管就直接用导通电阻的数值来作产品型号，如“P2804”就是指该型场效应管的导通电阻为28mΩ，耐压为40V。同理，“P4404”就是指导通电阻为44mΩ，耐压为40V。

不同结构的场效应管导通电阻差别很大，在通常情况下，耐压越高，导通电阻就越大，如液晶电视背光板常用的N沟道＋P沟道组合管P2504，耐压40V，电流18A，导通电阻25mΩ；用于CRT彩电电源管2SK2645，耐压600V，电流9A，功率50W，导通电阻1.2Ω;2SK2647，耐压800V，4从40W，导通电阻4Ω。

P沟道管比同规格N沟道管的导通电阻要大1倍左右，电流也小一些，所以开关电源都用N沟道管，但直流低电压控制管大多用P沟道管，因为P沟道管的S极接电源输入端，只要电源电压在5V左右，G极就可以直接由CPU控制，CPU输出低电平就可以使P沟道管导通，而N沟道管G极电压要高于输出电压5V～10V才能导通，那么CPU输出要经过电平转换才能控制N沟道管，电路较复杂。

场效应管导通条件

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

开关只有两种状态通和断，三极管和场效应管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。

开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时表示0，输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。

场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。

按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件。

场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

什么叫场效应管？

FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。

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