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LED电源发热烧坏MOS管五大技术点分析

信息来源:本站 日期:2017-06-06 

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1、芯片发热

本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假定芯片耗费的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会惹起芯片的发热。驱动MOS管芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的耗费,简单的计算公式为I=cvf(思索充电的电阻效益,理论I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必需想方法降低c、v和f.假定c、v和f不能改动,那么请想方法将芯片的功耗分到芯片外的器件,留意不要引入额外的功耗。再简单一点,就是思索更好的散热吧。


2、功率管发热

关于这个问题,也见到过有人在电源网论坛发过贴。功率管的功耗分红两局部,开关损耗和导通损耗。要留意,大多数场所特别是LED市电驱动应用,开关损伤要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动才干和工作频率有关,所以要处置功率管的发热能够从以下几个方面处置:
A、不能片面依据导通电阻大小来选择MOS功率管,由于内阻越小,cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差异太大了,选择功率管时,够用就能够了。

B、剩下的就是频率和芯片驱动才干了,这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,首先要想想是不是频率选择的有点高。想方法降低频率吧!不过要留意,当频率降低时,为了得到相同的负载才干,峰值电流必然要变大或者电感也变大,这都有可能招致电感进入饱和区域。假定电感饱和电流够大,能够思索将CCM(连续电流方式)改动成DCM(非连续电流方式),这样就需求增加一个负载电容了。


3、工作频率降频

这个也是用户在调试过程中比拟常见的现象,降频主要由两个方面招致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。关于前者,留意不要将负载电压设置的太高,固然负载电压高,效率会高点。关于后者,能够尝试以下几个方面:a、将最小电流设置的再小点;b、布线洁净点,特别是sense这个关键途径;c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感;d、加RC低通滤波吧,这个影响有点不好,C的分歧性不好,倾向有点大,不过关于照明来说应该够了。无论如何降频没有益处,只需害处,所以一定要处置。


4、电感或者变压器的选择

终于谈到重点了,我还没有入门,只能瞎说点饱和的影响了。很多用户反响,相同的驱动电路,用a消费的电感没有问题,用b消费的电感电流就变小了。遇到这种状况,要看看电感电流波形。有的工程师没有留意到这个现象,直接调理sense电阻或者工作频率抵达需求的电流,这样做可能会严重影响LED的运用寿命。所以说,在设计前,合理的计算是必需的,假定理论计算的参数和调试参数差的有点远,要思索能否降频和变压器能否饱和。变压器饱和时,L会变小,招致传输delay惹起的峰值电流增量急剧上升,那么LED的峰值电流也跟着增加。在均匀电流不变的前提下,只能看着光衰了。


5、LED电流大小
大家都晓得LEDripple过大的话,LED寿命会遭到影响,影响有多大,也没见过哪个专家说过。以前问过LED厂这个数据,他们说30%以内都能够承受,不过后来没有经过考证。倡议还是尽量控制小点。假定散热处置的不好的话,LED一定要降额运用。也希望有专家能给个细致指标,要不然影响LED的推行。

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