广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

​MOS管应用电路|开关电路知识-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2020-12-08 

分享到:

MOS管应用电路|开关电路知识-KIA MOS管


MOS应用电路分析

MOS电路为单极型集成电路,又称为MOS集成电路,它采用金属-氧化物半导体场效应管(MetalOxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为(MOSFET)制造,其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低,但速度较慢。


MOS集成电路又分为PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor,P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor,N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(ComplementMetal Oxide Semiconductor,复合互补金属氧化物半导体)等类型。


一、MOS管应用电路

学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流;而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。


MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中,NMOS居多。


MOS应用电路


寄生二极管的方向如何判断呢?它的判断规则就是对于N沟道,由S极指向D极;对于P沟道,由D极指向S极。


MOS应用电路


如何分辨MOS管三个极?

D极单独位于一边,而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的,记住这一点很有用。请注意:不论NMOS管还是PMOS管,上述PIN脚的确定方法都是一样的。


MOS应用电路


二、MOS管导通特性

导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性:Vgs大于某一值管子就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V就可以了。PMOS的特性:Vgs小于某一值管子就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。


下图是MOS管开关电路,输入电压是Ui,输出电压是Uo。


当Ui较小时,MOS管是截止的, Uo=Uoh=Vdd;当Ui较大时,MOS管是导通的, Uo =Ron/(Ron+Rd)*Vdd,由于Ron<Uo=0。


MOS应用电路


经典mos管应用电路分析

问题:此电路为什么会烧坏Mos管?


MOS应用电路


分析:

此电路是一个非常经典的小电流MOS管驱动电路,但LZ将之移到大电流应用上,水土不服,出了点小问题。


1.烧MOS管不是由于Q41没有饱和所致,而是由于驱动电流不足,驱动大功率MOS管时(由于其栅极电容的存在),无法快速对其栅极电容充电,引起栅极电压上升缓慢,切换功耗大大增大,引起烧MOS管。


2. D41不能省,一般MOS管的栅极极限电压为15-16V,此稳压管起保护MOS管作用,防止过高电压(本电路去掉R42时可高达+30V)对MOS管的栅极冲击引起击穿损坏。


3. R42不能省,起到限制光耦最大输出电流,及对IN4744A的限流作用。由于光耦的最大输出电流一般较小,过份减小R42加大光耦输出电流,易引起光耦加速老化及损坏,因此,比较好的方法是在光耦输出端用NPN三极管加一级射极跟随器,放大输出驱动电流。另外,可在R45上并联一只几十至百皮皮法的小电容,起加速MOS管的饱和。


4. R43不能大幅增加,一般加大到10K为上限,其原因在于,当MOS管关断时,储存一定驱动电压的栅极电容通过R43放电,最终将MOS管关断,如R43太大,MOS管关断时间增加,关断速度减慢,引起关断时的切换功耗大大增大,引起烧MOS管。当然,最好的方法是在栅极加负压,加速MOS管关断,但这样成本会高些。






联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助





相关资讯